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硒化铟
- 英文名称：Indium(III) selenide
- 品牌：成海
- 产地：湖北
- 货号：CH12785
- cas：12056-07-4
- 价格： ￥1/kg
- 发布日期： 2023-03-13
- 更新日期： 2026-06-18
产品详请
| 产地 | 湖北 |
| 货号 | CH12785 |
| 品牌 | 成海 |
| 用途 | 工业原材料 |
| 型号 | 原材料 |
| 包装规格 | 1kg铝箔袋&氟化瓶/10kg铝听&纸箱/25kg纸板桶&编织袋&塑料桶 |
| 外观 | 参见产品详细介绍 |
| CAS编号 | 12056-07-4 |
| 别名 | 铟硒化物 |
| 纯度 | 99% |
| 级别 | 医药级 |
| 重金属 | 1ppm |
中文名称:硒化铟
中文别名:铟硒化物
CAS No:12056-07-4
EINECS号：235-016-9
分子式:In2Se3
密度:5.67?g/mL?at 25?°C(lit.)
用途:铟硒化物又叫硒化铟。硒化铟是典型的二维层状半导体材料，带隙范围为1.24-1.54eV，具体的带隙范围取决于层数。硒化铟薄膜具有优异的电子和光电特性。对于硒化铟物理性质的研究已经付出了相当大的努力。已有报道已经证明，暴露于环境条件下的二维材料器件由于界面引起的额外的散射而显著的降低了载流子迁移率。
安全说明:20/21-28-45-60-61
危险品运输编号：UN 3283 6.1/PG 3
中文别名:铟硒化物
CAS No:12056-07-4
EINECS号：235-016-9
分子式:In2Se3
密度:5.67?g/mL?at 25?°C(lit.)
用途:铟硒化物又叫硒化铟。硒化铟是典型的二维层状半导体材料，带隙范围为1.24-1.54eV，具体的带隙范围取决于层数。硒化铟薄膜具有优异的电子和光电特性。对于硒化铟物理性质的研究已经付出了相当大的努力。已有报道已经证明，暴露于环境条件下的二维材料器件由于界面引起的额外的散射而显著的降低了载流子迁移率。
安全说明:20/21-28-45-60-61
危险品运输编号：UN 3283 6.1/PG 3
